Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOIC
Series
STripFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.045 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Width
4mm
Number of Elements per Chip
1
Height
1.25mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,60
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,744
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
2500
€ 0,60
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,744
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
2500
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOIC
Series
STripFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.045 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Width
4mm
Number of Elements per Chip
1
Height
1.25mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C