Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
1500 V
Series
MDmesh
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Length
15.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
5.15mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
20.15mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 227,10
€ 7,57 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 281,60
€ 9,387 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) Με Φ.Π.Α
30
€ 227,10
€ 7,57 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 281,60
€ 9,387 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) Με Φ.Π.Α
30
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
1500 V
Series
MDmesh
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Length
15.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
5.15mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
20.15mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος