Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
DTMOSIV
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
560 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
80 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
6.1mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V
Height
2.3mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET N-channel, TK8 & TK9 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 14,60
€ 1,46 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 18,10
€ 1,81 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α
10
€ 14,60
€ 1,46 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 18,10
€ 1,81 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α
10
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
DTMOSIV
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
560 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
80 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
6.1mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V
Height
2.3mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος