Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
550 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
63 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.41mm
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.01mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 300V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 3,81
Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 4,72
Μονάδας (Including VAT) Με Φ.Π.Α
1
€ 3,81
Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 4,72
Μονάδας (Including VAT) Με Φ.Π.Α
1
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
---|---|
1 - 9 | € 3,81 |
10 - 49 | € 3,35 |
50 - 99 | € 3,25 |
100 - 249 | € 3,10 |
250+ | € 2,92 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
550 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
63 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.41mm
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.01mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος