Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11.1 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
ThunderFET
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
31 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
5.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19.6 nC @ 10 V
Width
4mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.5mm
Χώρα Προέλευσης
Taiwan, Province Of China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 1.500,00
€ 0,60 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1.860,00
€ 0,744 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) Με Φ.Π.Α
2500
€ 1.500,00
€ 0,60 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1.860,00
€ 0,744 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) Με Φ.Π.Α
2500
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11.1 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
ThunderFET
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
31 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
5.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19.6 nC @ 10 V
Width
4mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.5mm
Χώρα Προέλευσης
Taiwan, Province Of China
Λεπτομέρειες Προϊόντος