Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.13 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.45V
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.05mm
Width
1.25mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.9mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Standard
10
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Standard
10
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.13 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.45V
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.05mm
Width
1.25mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.9mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος