Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
400 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
45 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
50 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.5mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10mm
Height
8.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
5
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
5
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
400 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
45 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
50 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.5mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10mm
Height
8.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C


