Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.6 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
520 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
60 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
52 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Height
9.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 42,30
€ 4,23 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 52,45
€ 5,25 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Ταινία)
10
€ 42,30
€ 4,23 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 52,45
€ 5,25 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Ταινία)
10
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
|---|---|
| 10 - 49 | € 4,23 |
| 50 - 99 | € 4,10 |
| 100 - 249 | € 3,92 |
| 250+ | € 3,68 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.6 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
520 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
60 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
52 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Height
9.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος


