Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.7 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Width
3.7mm
Length
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 20,80
€ 1,04 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 25,79
€ 1,29 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) Με Φ.Π.Α
Standard
20
€ 20,80
€ 1,04 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 25,79
€ 1,29 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
20
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
|---|---|---|
| 20 - 20 | € 1,04 | € 20,80 |
| 40 - 80 | € 0,86 | € 17,20 |
| 100 - 180 | € 0,76 | € 15,20 |
| 200 - 480 | € 0,70 | € 14,00 |
| 500+ | € 0,60 | € 12,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.7 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Width
3.7mm
Length
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος


