Dual N-Channel MOSFET Transistor, 1.13 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1912EDH-T1-E3

Κωδικός Προϊόντος της RS: 710-3235Κατασκευαστής: VishayΚωδικός Κατασκευαστή: SI1912EDH-T1-E3
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.13 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-363

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

280 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.45V

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.05mm

Width

1.25mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.9mm

Χώρα Προέλευσης

China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1922EDH-T1-GE3
€ 0,558Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

P.O.A.

Dual N-Channel MOSFET Transistor, 1.13 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1912EDH-T1-E3
Επιλέγξτε συσκευασία

P.O.A.

Dual N-Channel MOSFET Transistor, 1.13 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1912EDH-T1-E3
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1922EDH-T1-GE3
€ 0,558Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.13 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-363

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

280 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.45V

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.05mm

Width

1.25mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.9mm

Χώρα Προέλευσης

China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1922EDH-T1-GE3
€ 0,558Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α